Praktická elektronika/FET Tranzistory

Z Wikiknih
Skočit na navigaci Skočit na vyhledávání
Unipolární tranzistory různých velikostí

Polem řízené (neboli unipolární či FET) tranzistory spínají/omezují protékající proud na základě toho, jaké napětí je na řídicí nožičce. Najdeme je velmi často a v počítačích jsou jich doslova milióny.

Ve všech případech u tranzistoru najdeme a snadno rozlišíme tři nožičky:

  • řídicí se nazývá gate a značí se "G",
  • spínaný proud vstupuje do drainu "D" a
  • vystupuje z source "S".

Je to podobné jako u bipolárních tranzistorů: drain je zde jako kolektor, source jako emitor a gate jako báze. Na rozdíl od bipolárních tranzistorů (které jsou řízeny bázovým proudem) ale do gate nemusí téct žádný proud, stačí napětí.

Různé technologie[editovat]

Rozlišujeme několik technologií, které se liší použitím. Z nejčastěji používaných jmenujme:

  • MOSFET obohacovací typ - spíná při přiložení napětí (cca 3 V)
  • MOSFET ochuzovací typ - vypíná při přiložení napětí
  • J-FET se chová jako napětím řízený rezistor (používán zejm. pro zesilování)
  • IGBT je kříženec, kde polem řízený tranzistor spíná proud do báze výkonového bipolárního tranzistoru

Aby to nebylo tak jednoduché, všechny tyto technologie se dají vyrábět v kladné a záporné variantě (podobně jako PNP a NPN u bipolárních tranzistorů). Nejčastěji se používají obohacovací FET s N-kanálem, které spínají přiložením kladného napětí, najdeme ale i FET s P-kanálem.

Praktická zapojení[editovat]

Nejčastěji se asi setkáme s výkonovými obohacovacími n-kanálovými MOSFETy řady IRF630, IRF740.